不同In组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱的表面光伏谱

1.厦门大学物理系,厦门,361005

2.厦门大学物理系,厦门,361005

3.厦门大学物理系,厦门,361005

4.厦门大学物理系,厦门,361005

5.上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室,上海,200030

Surface Photovoltaic Spectra of Strainded InGaAs/GaAs Quantum Well with Different Composition of In and Different Width of Well

本文采用表面光伏谱方法,对不同组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算,对样品的表面光伏谱进行指认,理论与实验符合得很好.

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