Nd:YAG连续激光辐照在表面蒸有Zn薄膜的n-InP片上,用激光诱导的方法实现Zn在InP中掺杂,形成PN结.用电化学C-V方法和扫描电子显微镜对辐照后的样品进行分析研究,给出激光辐照功率、辐照时间等工艺参数对结深、浓度分布影响.在n-InP片表面得到受主浓度分布均匀、高掺杂(～1019cm-3)、浅结(～1μm)的P-InP.初步分析其掺杂机理是激光诱导下所形成的合金结过程.
参考文献
| [1] | Slaoui A, Foulon F, Siffert P. Excimer laser induced doping of phosphorus into silicon. J. Appl. Phys., 1990, 67(10):6197 |
| [2] | Foulon F, Slaoui A, Fogarassy E et al. Optimization of parameters involved in the photochemical doping of Si with a pulsed ArF excimer laser [J]. Appl. Surf. Sci., 1989, 36:384 |
| [3] | Ehrlich D J, Tao J Y. Submicrometer-linewidth doping and relief definition in silicon by laser-controlled diffusion [J]. Appl. Phys. Left., 1982, 41(3): 297 |
| [4] | Baeri P, Campisano S U, Foti G et al. Arsenic diffusion in silicon melted by high-power nano-second laser pulsing [J]. Appl. Phys. Lett., 1978, 33(2): 137 |
| [5] | Fokumura K S, Kaneka S. Excimer-laser doping into Si thin films [J]. J. Appl. Phys., 1990, 67(5): 2359 |
| [6] | 叶玉堂,李忠东等.用固态杂质源在GaAs衬底上实现连续波CO2激光诱导Zn扩散[J].中国激光,1997,24(3):237 |
| [7] | 刘江龙.激光表面淬火强化技术的工艺基础[J].表面技术,1994,23(5):213 |
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