新型垂直腔面发射激光器的最优化设计模式

量子电子学报 , 2003, 20(2): 157-161. doi: 10.3969/j.issn.1007-5461.2003.02.005

新型垂直腔面发射激光器的最优化设计模式

朱文军 ^1, , 郭霞 ^2, , 廉鹏 ^3, , 邹德恕 ^4, , 高国 ^5, , 沈光地 ^6,

1.北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022

2.北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022

3.北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022

4.北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022

5.北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022

6.北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G20000688-02) 国家高技术研究发展计划(863计划)(2002AA312070) 北京市教委资助项目(01KJ-014) 北京市重点项目(4021001) 国家自然科学基金(60276033)

关键词：多有源区 , 隧道再生 , VCSELs , 功率效率

Optimized Design Mode of a Novel Vertical-Cavity Surface-emitting Laser

本文通过提出具有优点为微分量子效率可以大于1的一种新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)结构,可得到阈值电流更小、输出功率更大的器件.同时,通过对这种器件功率效率的分析,总结出针对这种新型结构的以固定工作电流及串联电阻为参数的最优化DBR反射率公式,并且就功率效率与工作电流、串联电阻及反射率的关系进行了讨论,这将对器件的合理设计以及器件制备具有实质性的指导作用.

参考文献

[1]	Iga K, Koyama F, Kinoshita S. Surface emitting semiconductor lasers [J]. IEEE J. Quantum Electron, 1988, 24:1845-1855
[2]	Soda H, Iga K, Kitahara C et al. GaInAsP/InP surface emitting injection lasers [J]. Japan. J. Appl. Phys, 1979,18:2329-2320
[3]	Wang Li , Zhang Yimo , Wu Ronghan et al. The progress of the semiconductor laser [J]. Laser and Infrared (激光与红外),1999,29:267-270(in Chinese)
[4]	Yin Tao . Novel super high power high quantum efficiency coupled 980 nm inGaAs lasers with multiple active regions[D].Beijing Polytechnic University Doctoral Dissertation(北京工业大学博士生论文),1999,5-6(in Chinese)
[5]	Chen Changhua. The study of a novel high efficiency and high power semiconductor laser [R]. Beijing Polytechnic University Postdoctoral Research Report(北京工业大学博士后研究报告),1999,6-7(in Chinese)
[6]	Schubert E F, Tu L W et al. Elimination of heterojunction band discontinuities by modulation doping [J]. Appl.Phys. Lett, 1992, 60:466-468

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