InGaAs/AlGaAs量子阱中量子尺寸效应对PL谱的影响

量子电子学报 , 2003, 20(3): 345-349. doi: 10.3969/j.issn.1007-5461.2003.03.018

InGaAs/AlGaAs量子阱中量子尺寸效应对PL谱的影响

于永芹 ^1, , 黄柏标 ^2, , 尉吉勇 ^3, , 潘教青 ^4, , 周海龙 ^5, , 齐云 ^6, , 陈文澜 ^7, , 秦晓燕 ^8, , 张晓阳 ^9, , 任忠祥 ^10,

1.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

2.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东华光光电子有限公司,济南,250101

3.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

4.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

5.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

6.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

7.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

8.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东华光光电子有限公司,济南,250101

9.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东华光光电子有限公司,济南,250101

10.山东华光光电子有限公司,济南,250101

关键词： InGaAs/AlGaAs量子阱 , MOCVD , 量子尺寸效应 , 应变效应

Quantum Confinement Effect on PL Spectrum of InGaAs/AlGaAs Multi-quantum Wells

本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3 nm和6 nm,对其光致发光谱(PL)进行了研究,二者的发光波长分别为843 nm和942 nm,用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效应和应变效应引起的InGaAs/AlGaAs量子阱带隙的改变,这解释了两组样品室温下PL发射波长变化的原因.

参考文献

[1]	Chang K H, Bhattacharya P K, Gibala R. Transmission electron microscopy of strained InyGa1-yAs/GaAs multiquantum wells: The generation of misfit dislocations [J]. Appl. Phys., 1989, 65(9): 3391-3394
[2]	Zhang X Q, Mei Z X, Duan N et al. Exciton optical propertities of CdSe/CdZnSe superlattices [J]. Acta Optica Sinica(光学学报),2002,221(1):114-117(in Chinese)
[3]	Cao Hongbin,Mao Qingfeng,Zhang Daoyin.1080 nm semiconductor laser for light source of He-pumping[J].Semiconductor Optoelectronics(半导体光电),1999,20(6):1-3(in Chinese)
[4]	Wang C A. New materials for diode laser pumping of solid-state lasers [J]. IEEE J. QE., 1992, 28(4): 942-951
[5]	Madelung O. Landolt-Bornstein Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology [M]. Ⅲ /17a. Berlin: Springer, 1982

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网