应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980 nm半导体激光器中的应用

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基金项目: 北京市自然科学基金(4032007) 国家高技术研究发展计划(863计划)(2002AA312070) 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G20000683-02)

Optimization of MOCVD-growth strain InGaAs/GaAs quantum wells and its application for 980 nm LD

使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱.研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A,输出功率在100 mW的器件.

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