C掺杂GaAs外延层光学特性分析

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基金项目: 国防科技预研基金(51456020203QT0101) 中国科学院资助项目(60077004) 科技部科研项目(G20000683-Q2)

Carbon doped GaAs epitaxial layer grown by MOCVD

对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源,分析不同C掺杂浓度的GaAs外延层光学特性.通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层,随C掺杂浓度增加,禁带宽度收缩,PL谱峰值半宽增大,晶格常数减小.

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