量子点阵列光致荧光谱温度依赖性研究

量子电子学报 , 2007, 24(1): 100-104. doi: 10.3969/j.issn.1007-5461.2007.01.020

量子点阵列光致荧光谱温度依赖性研究

刘国梁 ^1, , 姚江宏 ^2, , 许京军 ^3, , 王占国 ^4,

1.天津市南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津市信息光子材料与技术重点实验室,南开大学泰达应用物理学院,天津,300457

2.天津市南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津市信息光子材料与技术重点实验室,南开大学泰达应用物理学院,天津,300457

3.天津市南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津市信息光子材料与技术重点实验室,南开大学泰达应用物理学院,天津,300457

4.中国科学院半导体研究所,北京,100083

基金项目: 教育部长江学者和创新团队发展计划国家自然科学基金(60476042)

关键词：光电子学 , 光致荧光 , 速率方程 , 多模量子点阵列 , 热激发

Temperature dependence of photoluminescence of quantum dot arrays

多模量子点阵列的光致荧光(PL)光谱的温度依赖性研究对于实现高效的量子点光电器件有着非常重要的意义.利用速率方程模型模拟不同密度量子点阵列中的载流子动力学过程.研究表明,高密度量子点阵列中不同尺寸量子点族的PL强度表现不同的温度依赖关系;而低密度量子点阵列不同点族PL强度均随温度衰减.高密度量子点阵列中,载流子被热激发到浸润层后,部分地被大量子点再俘获,即在量子点族间转移;低密度量子点阵列中不同量子点族间的载流子转移受到限制.不同量子点族光致荧光强度比的最大值强烈地依赖于量子点的激活能差.

参考文献

[1]	Heinrichsdorff F,Ribbat Ch,Grundmann M,et al.High-power quantum-dot lasers at 1100 nm[J].Appl.Phys.Lett.,2000,76(5):556-558.
[2]	Krebs R,Klopf F,Rennon S,et al.High frequency characteristics of InAs/GalnAs quantum dot distributed feedback lasers emitting at 1.3 pm[J].Electron.Lett.,2001,37(20):1223-1225.
[3]	Rebohle L,Schrey F F,Hofer S,et al.Energy level engineering in InAs quantum dot nanostructures[J].Appl.Phys.Lett.,2002,81(11):2079-2081.
[4]	Wang Jian,Xing Da.Overview of the research of the quantum-dot lasers[J].Chinese Journal of Quantum Electronics (量子电子学报),2003,20(2):129-134 (in Chinese).
[5]	Tomm J W,Elsaesser T,Mazur Yu I,et al.Transient luminescence of dense InAs/GaAs quantum dot arrays[J].Phys.Rev.B,2003,67:045326.
[6]	Kong Lingmin,Cai Jiafu,et al.Studies on time-resolved photoluminescence spectrum of wetting layer and quantum dots in the structure of self-organized quantum dots[J].Chinese Journal of Quantum Electronics (量子电子学报),2003,20(2):208-212 (in Chinese).
[7]	Bogani L,Sanguinetti S,Grilli E,et al.Thermally activated carrier transfer and luminescence line shape in self-organized InAs dots[J].Appl.Phys.Lett.,1996,69(22):3354-3356.
[8]	Marcinkevicius S,Leon R.Photoexcited carrier transfer in InGaAs quantum dot structures:dependence on the dot density[J].Appl.Phys.Lett.,2000,76(17):2406-2408.
[9]	Sales F V,Cruz J M R,Silva S W,et al.Carrier kinetics in quantum dots through continuous wave photoluminescence modeling:a systematic study on a sample with surface dot density gradient[J].J.of Appl.Phys.,2003,94(3):1787-1794.
[10]	Wang J Z,Yang Z,Yang C L.Photoluminescence of InAs quantum dots grown on GaAs surface[J].Appl.Phys.Lett.,2000,77(18):2837-2839.
[11]	Zhang Y C,Huang C J,Liu F Q,et al.Temperature dependence of electron redistribution in modulation-doped InAs/GaAs quantum dots[J].Journal of Crystal Growth,219:199-204.
[12]	Dai Zhenhong,Sun Jinzuo,et al.Study on the coupled multiple nanocrystal quantum-dot system[J].Physica E,2003,(18):412-420.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网