直流热阴极PCVD法制备金刚石厚膜

新型炭材料, 2002, 17(2): 9-12. doi: 10.3969/j.issn.1007-8827.2002.02.003

直流热阴极PCVD法制备金刚石厚膜

金曾孙 ^1, , 姜志刚 ^2, , 白亦真 ^3, , 吕宪义 ^4,

1.吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023

2.吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023

3.吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023

4.吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)

关键词：热阴极 , PCVD , 金刚石厚膜

SYNTHESIS OF DIAMOND THICK FILM BY A HOT-CATHODE DC-PCVD METHOD

建立和发展了非脉冲式的直流热阴极PCVD(Plasma Chemical Vapour Deposition)方法.通过采用温度为1100℃～1500℃的热阴极以及阴极和阳极尺寸不相等配置,在大的放电电流和高的气体气压下实现了长时间稳定的辉光放电,并用这种方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜,其厚膜直径为40mm～50mm,膜厚为～4.2mm,生长速率最高达到25μm/h左右,在5μm/h～10μm/h的生长速率下制出的金刚石厚膜,热导率一般在10W/K*cm～12W/K*cm.高导热金刚石厚膜用做半导体激光二极管列阵的热沉和MCM的散热绝缘基板,明显地改善了它们的性能.

参考文献

[1]	BACHMAN P K;Linz U .Diamond thin films technology 2A:diamond and DLC[J].Advanced Materials,1990,2(12):603-607.
[2]	Suzuki K;Sawabe A;Yazuki H et al.Growth of diamond thin films by dc plasma chemical vapor depostion[J].Applied Physics Letters,1987,50(12):728-729.
[3]	Hartmann P;Haubner R;Luk B .Deposition of thick diamond films by plused dc glow discharge CVD[J].Diamond and Related Materials,1996,5:850-856.
[4]	Baik Y J;Lee J K;Lee W K et al.Large area deposition of thick diamond films by direct-current PA CVD[J].Thin Solid Films,1999,341:202-206.
[5]	Jae-Kap Lee;Kwang Yong Eun;Hee-Baik Chae;Young-Joon Baik .Free-standing diamond wafers deposited by multi-cathode, direct-current, plasma-assisted chemical vapor deposition[J].Diamond and Related Materials,2000(3-6):364-367.

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