采用电镀工艺制备了CIS太阳能电池的Cu-In预制薄膜,通过分析不同温度热处理后材料结构的变化,研究了Cu-In预制层薄膜的相变规律及其表面特征.实验结果表明:在433K温度下进行热处理后,Cu-In薄膜由单质In及少量Cu11In9构成,此时单质In熔化,凝固后其表面In颗粒长大;当热处理温度高于577K时,在表面富In区发生固液转变,薄膜表面更加致密.随着Cu和In原子相互扩散加剧,Cu11In9最终完全转变为Cu16In9.
参考文献
[1] | 孙云,王俊清,杜兆峰,舒保健,于刚,温国忠,周祯华,孙健,李长健,张丽珠.CIS和CIGS薄膜太阳电池的研究[J].太阳能学报,2001(02):192-195. |
[2] | 方玲,张弓,庄大明,赵明,郑麒麟,丁晓峰,吴敏生.Cu-In膜成分偏析对CIS膜结构的影响[J].清华大学学报(自然科学版),2004(05):593-596. |
[3] | 李文漪,蔡珣,陈秋龙.CIS光伏材料的发展[J].机械工程材料,2003(06):1-3,7. |
[4] | Sebastian P J;Fernandez A M;Sánchez A .Formation of CuInSe2 thin films by selenization,employing CVTG,of electroless deposited Cu-In alloy[J].Solar Energy Materials and Solar Cells,1995,39(01):55-60. |
[5] | Rastogi A C;Balakrishnan K S;Sharma R K et al.Growth phases during electrochemical selenization of vacuum deposited CuIn metal layers for the formation of semiconducting CuInSe2 films[J].Thin Solid Films,1999,357(02):179-188. |
[6] | Nese Orbey;Glover A. Jones .Copper-Indium Alloy Transformations[J].Journal of Phase Equilibria,2000(6):509-513. |
[7] | Subramanian P R;Laughlin D E .The Cu-In(copper-indium) system[J].Bulletin of Alloy Phase Diagrams,1989,10(05):554-558. |
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