用溶胶-凝胶法制得纳米氧化铝溶胶,将其掺入到聚酰胺酸基体中,采用原位生成法制备了一系列不同掺杂量的PI/Al2O3复合薄膜.利用耐电晕测试装置、耐击穿测试装置、扫描电子显徽镜(SEM)对薄膜进行了测试及表征.结果表明:随着掺杂量的提高耐电晕时间增大,当掺杂量为30%(质量分数)时PI薄膜的耐电晕时间为57.64 h,是未掺杂的15倍以上.随着掺杂量的提高杂化薄膜电气强度先增大后减小,但都比未掺杂的低.纳米氧化铝粒子在PI基体中分散较均匀.
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