欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

SiGeC三元合金成为近年来人们研究的热点之一.处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大的灵活性.本文利用UHV/CVD技术生长了掺碳达2.2%的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,并对碳的应变缓解效应进行了研究.

参考文献

[1] 黄靖云;叶志镇 .[J].材料科学与工程,1997,3:34.
[2] R People et al.[J].IEEE Journal of Oceanic Engineering,1986,QE-22:1696.
[3] G Abstreiter;K Eberl;E Friess;etal .[J].Journal of Crystal Growth,1989,95:431.
[4] H J Osten;E Bugiel;P Zaumseil .[J].Applied Physics Letters,1994,64(25):3440.
[5] C. L. Chang;A. St. Amour;J. C. Sturm .The effect of carbon on the valence band offset of compressively strained Sl↓(1-x-y)Ge↓(x)C↓(y)/(l00) Si heterojunctions[J].Applied physics letters,1997(9/12):1557-1559.
[6] A St Amour;C W Liu;J C Sturm .[J].Applied Physics Letters,1995,67(26):3915.
[7] P Boucaud;C Francis;F H Julien;etal .[J].Applied Physics Letters,1994,64(07):875.
[8] K Eberl;S S Lyer;S Zollner et al.[J].Applied Physics Letters,1992,60:3033.
[9] S Im J Ishburm;R Gronsky;N W Cheung et al.[J].Applied Physics Letters,1993,63:2682.
[10] C W Liu;A St Amour;J C Sturm Journ .[J].Applied Physical,1996,80(05):3043.
[11] P C Kelires .[J].Physical Review Letters,1995,75(06):1114.
[12] 叶志镇,曹青,张侃,赵炳辉,李剑光,阙端麟,谢琪,雷震霖.具有RHEED在线监控功能的超高真空CVD系统及3"硅片低温外延研究[J].半导体学报,1996(12):932.
[13] J L Regolini;F Gisbert;G Dolino;P. Boucaud .[J].Materials Letters,1993,18:57.
[14] Jingyun Hung;Zhizhen Ye;Huanming Lu .[J].J.Appl. Phy,1998,83(01):171.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%