综述了空间微重力环境下生长GaAs、α-LiIO3晶体的研究进展,展望了其应用前景.
参考文献
[1] | 胡文瑞.微重力科学和应用[J].物理,1989(01):11. |
[2] | 陈万春 .空间微重力晶体生长研究[J].硅酸盐学报,1995,23(04):420. |
[3] | Hamache H;Fitton B;Kingdon J.The environment of earth-orbiting systems[A].New York,London,Pries,Tokyo:Springer-verlag,1987:313. |
[4] | 陈万春 .空间材料科学的前沿学科--微重力晶体生长[J].现代物理,1989,6:11. |
[5] | Parker P L.Results of crystal growth in sky laboratory and ASTP[A].New York,Oxford:North-Holland Publishing Company,1977:852. |
[6] | Regel L L.Semiconductor growth form melt and vapor under microgravity[A].New York,London:Consaltants Bureau,1990:33. |
[7] | Authier A;Benz A K W;Robert M C.Crystal growth form solution[A].Tokyo:Spinger-verlag,1987:405. |
[8] | Minster O .Microgravity,space and technology experiments on board EURECA[J].Microgravity News frm ESA,1991,4(04):4. |
[9] | Frimout D;Monster O .EURECA and SGF performances[J].Advances in Space Research,1988,8(12):113. |
[10] | Bechner E;Highlight of science results from the first international microgravity laboratory(IML-1) mission .Mercuric Iodide Crystal growth from IML-1[J].Microgravity News,1993,3(01):10. |
[11] | Benz K W.Single crystal growth[A].Germany,1993:439. |
[12] | Lal R B.A study of solution crystal growth in low-g[A].,1992:193. |
[13] | 张忱 .日本的宇宙空间材料研制实验[J].电子材料,1992,12:25-26. |
[14] | Isao Kudo .Microgravity research in Japanese industry[J].Advances in Space Research,1993,3(07):13. |
[15] | 王希季;林华宝;苏连风 .中国返回式卫星的搭载任务--空间材料科学实验[J].中国空间科学技术,1995,15(03):28-33. |
[16] | 达道安;黄良甫;谢燮 等.我国首次空间微重力下的材料加工试验[J].中国空间科学技术,1988,8(06):4-9. |
[17] | 林兰英.在微重力下从熔体中生长GaAs单晶及其性质研究的总结[A].北京:中国科学技术出版社,1988:9-13. |
[18] | 达道安;黄良甫;奚日升.我国空间材料研究的成就及发展方向,中国空间应用的回顾与展望--1989年空间应用座谈会文集[C].北京:中国科学技术出版社,1990:160-164. |
[19] | Zhong X R;Lin L Y;Xie X.Preparation of 1.Diameter GaAs Crystal in Space[A].北京,1993:71. |
[20] | 陈万春.碘酸锂晶体的空间生长[J].人工晶体学报,1989(02):93. |
[21] | Chen W C;Ma W Y;Mai Z H;Xie A Y .Crystal Growth of α-LiIO3 From Solution[J].Microgravity Quarterly,1993,3(2-4):125. |
[22] | 陈万春.碘酸锂晶体的空间生长(2)[J].人工晶体学报,1996(01):1. |
[23] | Walter Andrews.[J].Electronic News,1994:28. |
[24] | 任学良 .GaAs单晶LEC生长技术的最新进展[J].电子材料,1995,1~2:11. |
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