反应溅射制备非晶Al2O3薄膜的介电特性

材料科学与工程学报, 2000, 18(3): 80-83. doi: 10.3969/j.issn.1673-2812.2000.03.020

反应溅射制备非晶Al2O3薄膜的介电特性

赵登涛 ^1, , 狄国庆 ^2, , 朱炎 ^3,

1.苏州大学物理系薄膜材料实验室,江苏,苏州,215006

2.苏州大学物理系薄膜材料实验室,江苏,苏州,215006

3.苏州大学物理系薄膜材料实验室,江苏,苏州,215006

关键词：反应射频磁控溅射 , 介电性质 , 非晶 , 氧化铝薄膜

Dielectric Characteristics of Amorphous Alumina Film Fabricated by Reactive Sputtering

在氧气、氩气的混合气氛中,利用反应射频磁控溅射制备了厚度在100到10纳米的非晶氧化铝薄膜.通过Al-Al2O3-Al电容器研究了此非晶薄膜的介电性质.

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