直拉硅单晶中氧的轴向均匀性控制

材料科学与工程学报, 2000, 18(3): 105-109. doi: 10.3969/j.issn.1673-2812.2000.03.025

直拉硅单晶中氧的轴向均匀性控制

田达晰 ^1, , 杨德仁 ^2, , 徐明生 ^3, , 阙端麟 ^4,

1.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

2.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

3.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

4.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

关键词：硅 , 氧 , 杂质

Control of the Uniformity in Axial Oxygen Concentration in Czochralski Silicon Crystal Growth

本文从气氛、热场、坩锅材料、埚位、埚转、晶转、变参数拉晶等几个方面论述了CZ硅单晶初始氧浓度和氧的轴向均匀性的控制方法,着重研究了变参数拉晶对氧的轴向均匀性控制的影响.

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