欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

本文对各种纯SiC及含有少量杂质的SiC在不同条件下的氧化行为进行了全面系统的概述.对今后SiC氧化行为的研究具有一定的指导意义.

参考文献

[1] Robert F Adamsky .[J].Journal of Physical Chemistry,1959,63:1305-1307.
[2] John A Costello;Richard E Tressler .[J].Journal of the American Ceramic Society,1986,69(09):674-681.
[3] J A Costello;R E Tressler .[J].Journal of the American Ceramic Society,1981,64(06):327-331.
[4] Richard C A Harris .[J].Journal of the American Ceramic Society,1975,58(12):7-9.
[5] S C Singhal .[J].Journal of Materials Science,1976,11:1246-1253.
[6] Paul J Jorgensen;Milton E Wadsworth;Ivan B Cutler .[J].Journal of the American Ceramic Society,1959,42(12):613-616.
[7] 杨修春;韩高荣;李福桑 等.[J].无机材料学报,1998,13(01):99-104.
[8] Krishan L Luthra .[J].Journal of the American Ceramic Society,1991,74(05):1095-1103.
[9] Guy Ervin JR .[J].Journal of the American Ceramic Society,1958,41(09):347-352.
[10] 阮玉忠,于岩,吴万国,杜育红,林春莺.硅微粉结合SiC窑具氧化动力学[J].无机化学学报,1999(01):110-113.
[11] Wallace L Vaughn;Howard G Maahs .[J].Journal of the American Ceramic Society,1990,73(06):1540-1543.
[12] 王零森.特种陶瓷[M].中南工业大学出版社,1994
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%