GaP纳米复合发光材料的合成及性质

1.山东大学晶体材料国家重点实验室,晶体材料研究所,济南,250100

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7.中国科学院激发态物理开放实验室,长春,130021

基金项目: 国家自然科学基金(59823003) 中国科学院实验室基金

用水热合成方法制备了GaP纳米晶/桑色素复合发光材料,对材料的物相结构及发光性能进行了表征.研究结果表明:在低温水热条件(150℃,4～8h)下,GaP纳米晶是稳定的,相应的复合材料在通常条件下具有较好的稳定性,并且有较高的发光强度,其发射谱带是中心位于500nm附近的宽谱带.

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