分步偏压溅射法制备碳化硅薄膜

材料科学与工程学报, 2000, 18(z2): 612-614. doi: 10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.019

分步偏压溅射法制备碳化硅薄膜

严辉 ^1, , 谭利文 ^2, , 宋雪梅 ^3, , 王波 ^4, , 陈光华 ^5, , 姚振宇 ^6, , 刘立明 ^7, , 程业浩 ^8,

1.北京工业大学材料学院,北京,100022

2.北京工业大学材料学院,北京,100022

3.北京工业大学材料学院,北京,100022

4.北京工业大学材料学院,北京,100022

5.北京工业大学材料学院,北京,100022

6.中国原子能科学研究院,北京,102413

7.中国原子能科学研究院,北京,102413

8.中国原子能科学研究院,北京,102413

基金项目: 北京市自然科学基金北京市青年科技骨干培养基金

关键词：分步偏压 , SiC , 溅射氚渗透率

采用分步偏压射频溅射法,通过调整衬底负偏压,在不加热的条件下成功的制备出具有一定结晶取向的sic薄膜,傅立叶红外谱的分析表明,随着衬底偏压的增大,吸收峰位于800cm-1附近Si-C键的数量增大.表明高能氩离子的轰击有利于立方相SiC(β-SiC)的形成.从傅立叶红外光谱SiC特征吸收峰的FWHM表明,采用分步偏压法制备的SiC薄膜,比采用一步偏压法制备的薄膜的质量好.从SEM测试结果表明,SiC薄膜均匀致密,表面比较光滑.同时,在不锈钢衬底上沉积了SiC薄膜,对其防氚性能的测试结果表明氚的渗透率显著下降.

参考文献

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