工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响

材料科学与工程学报, 2000, 18(z2): 640-642. doi: 10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.026

工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响

邓金祥 ^1, , 谭利文 ^2, , 王波 ^3, , 严辉 ^4, , 陈光华 ^5,

1.北京工业大学应用物理系,北京,100022

2.北京工业大学应用物理系,北京,100022

3.北京工业大学应用物理系,北京,100022

4.北京工业大学应用物理系,北京,100022

5.北京工业大学应用物理系,北京,100022

基金项目: 国家自然科学基金北京市自然科学基金北京市青年科技骨干培养基金北京市科技新星计划项目

关键词：立方氮化硼 , 射频溅射 , 工作气压

本文报道了工作气压对射频溅射法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜影响的实验结果.c-BN薄膜沉积在p型Si(100)衬底上,溅射靶为六角氮化硼(h-BN),工作气体为Ar气和N2气混合而成,薄膜的成分由傅里叶变换红外吸收谱标识.结果表明,与射频功率、衬底温度和衬底负偏压一样,工作气压也是影响c-BN薄膜生长的重要参数.要得到一定立方相含量的氮化硼薄膜,必须要有合适的工作气压,否则,薄膜中不能形成立方相.在工作气压为5×10-3乇时,得到了立方相含量在90%以上的立方氮化硼薄膜.

参考文献

[1]	宋志忠.薄膜物理及其应用讲座第四讲立方氮化硼薄膜的研究现状及其应用前景[J].物理,1995(05):307.
[2]	PMirkarrimi;K F McCarty;D L Medlin.[J].Materials Science and Engineering R:Reports,1997:47.
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