SOL-GEL方法制备PZT铁电薄膜新方法及铁电特性研究

材料科学与工程学报, 2000, 18(z2): 758-761. doi: 10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.053

SOL-GEL方法制备PZT铁电薄膜新方法及铁电特性研究

颜雷 ^1, , 汤庭鳌 ^2, , 黄维宁 ^3, , 姜国宝 ^4, , 程旭 ^5, , 姚海平 ^6, , 钟琪 ^7,

1.复旦大学电子工程系微电子学研究所,上海,200433

2.复旦大学电子工程系微电子学研究所,上海,200433

3.复旦大学电子工程系微电子学研究所,上海,200433

4.复旦大学电子工程系微电子学研究所,上海,200433

5.复旦大学电子工程系微电子学研究所,上海,200433

6.复旦大学电子工程系微电子学研究所,上海,200433

7.复旦大学电子工程系微电子学研究所,上海,200433

关键词： SOL-GEL PZT 钙钛矿结构

我们用SOL-GEL方法对PZT的制备进行了深入细致的研究,PZT薄膜不同组分的加入顺序对铁电特性的影响较小,而精确地控制PZT铁电薄膜的组分是制备性能良好的铁电薄膜的关键,铁电薄膜的退火条件对铁电薄膜特性有着至关重要的影响.我们运用将Zr及Ti有机物溶液加入Pb的有机溶液的新的制备工艺流程以精确地控制Pb/Zr/Ti的组分,从而制备出性能良好的铁电薄膜.在大量实验的基础上,我们绘制出扩散炉和快速热退火时,钙钛矿的形成与退火温度及时间的关系图,并且得出PZT铁电薄膜最佳的退火温度和时间区域.

参考文献

[1]	MSimizu;S Hyood;H Fujisawa .etc Step Coverage of Pb[J].Zr TiO3 ThFilms Grown by MOCVD Mat Res Symp Proc,1996,433:201.
[2]	KSugiuchi;Y Kurogi;N Endo .Ferroelectric Field-effect Memory Device Using Bi4Ti3O12[J].Journal of Applied Physics,1975,46:2877.
[3]	YuichiNakao;Takashi Nakamura;Akira Kamisawa etc.[J].Japanese Journal of Applied Physics,1994,33:5265.
[4]	颜雷;黄维宁;姜国宝;汤庭鳘 .新型不挥发非破坏性读出铁电存储器(MFS)[J].微电子技术,1998,26:6.
[5]	HidemiTakasu;Takashi Nakamura;Akira Kamis awa .[J].Integrated Ferroelectrics,1998,21:41.

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