本文研究了化学共沉淀工艺制备的CoMnCuo系NTC热敏电阻元件在不同温度下的复阻抗谱,并建立了相应的模拟等效电路.根据Cole-Cole图,我们获得了材料的晶粒、晶界电阻随温度的变化关系.结果表明:晶粒、晶界电阻与温度均呈E指数关系,但晶界电阻远大于晶粒电阻.为此,我们与以往NTC热敏电阻的导电机制进行了比较,认为晶界电阻起主要作用.
参考文献
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