ZnO是一种新型的宽带化合化半导体材料,对短波长的光电子器件如UV探测器,LED和LD有着巨大的潜在应用.本实验研究采用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,薄膜呈柱状结构,晶粒大小约为100nm,晶粒内为结晶性能完整的单晶,但晶粒在C轴方向存在较大的张应力.ZnO薄膜在He-Cd激光器激发下有较强的紫外荧光发射,应力引起ZnO禁带宽度向长波方向移动,提高衬底温度有利于降低应力和抑制深能级的绿光发射.
参考文献
| [1] | Z. K. Tang;G. K. L. Wong;P. Yu .Room-temperature ultraviolet laser emission from self-assembled ZnO microcrystallite thin films[J].Applied physics letters,1998(24/26):3270-3272. |
| [2] | Robert E Service .[J].科学（上海),1997,276:895. |
| [3] | B. J. Jin;S. H. Bae;S. Y. Lee .[J].Materials Science and Engineering,2000,B71:301. |
| [4] | 李剑光,叶志镇,赵炳辉,袁骏.硅基上直流反应磁控溅射沉积优质ZnO薄膜及其性能研究[J].半导体学报,1996(11):877. |
| [5] | Kyoung-Kook Kim;Jae-Hoon Song;Hyung-Jin Jung .The grain size effects on the photoluminescence of ZnO/α-Al_(2)O_(3) grown by radio-frequency magnetron sputtering[J].Journal of Applied Physics,2000(7):3573-3575. |
| [6] | M.Kawasaki;A.Ohtomo .Ultraviolet excitonic laser action at room temperature in ZnO nanocrystalline epitaxial films[J].Materials Science Forum,1998(Pt.1):1459-1462. |
| [7] | J F Muth;R M Kolbas .[J].Journal of Applied Physics,1999,85:7884. |
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