氮化硼光电薄膜材料的制备及其性能研究

材料科学与工程学报, 2002, 20(4): 510-540. doi: 10.3969/j.issn.1673-2812.2002.04.011

氮化硼光电薄膜材料的制备及其性能研究

祁英昆 ^1, , 张溪文 ^2, , 郝天亮 ^3, , 董博 ^4, , 沈鸽 ^5, , 杜丕一 ^6, , 翁文剑 ^7, , 赵高凌 ^8, , 韩高荣 ^9,

1.浙江大学材料系,硅材料科学国家重点实验室,浙江,杭州,310027

2.浙江大学材料系,硅材料科学国家重点实验室,浙江,杭州,310027

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9.浙江大学材料系,硅材料科学国家重点实验室,浙江,杭州,310027

基金项目: 国家自然科学基金(60006003)

关键词：氮化硼 , 热丝辅助等离子体增强化学气相沉积 , 紫外吸收 , 衬底预处理

Deposition and Study of Properties of Boron Nitride Photoelectric Films

本文通过热丝辅助等离子体增强化学气相沉积法(HF-PECVD)在单晶硅片和石英片衬底上分别成功生长了氮化硼薄膜材料.用X射线衍射(XRD和傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析了薄膜样品的结构和组成,用扫描电镜(SEM)观察了薄膜样品的表面形态,用紫外一可见光分光光度计(UV)研究了薄膜样品的紫外吸收特征,并确认薄膜样品的光学能隙.此外,本文还探讨了衬底的超声预处理在薄膜材料生长中所起的作用.

参考文献

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