多孔硅与聚乙烯咔唑复合光电性能研究

材料科学与工程学报, 2003, 21(4): 507-509. doi: 10.3969/j.issn.1673-2812.2003.04.010

多孔硅与聚乙烯咔唑复合光电性能研究

赵毅 ^1, , 杨德仁 ^2, , 周成瑶 ^3, , 阙端麟 ^4,

1.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

2.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

3.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

4.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

关键词：多孔硅 , 发光 , Ⅰ-Ⅴ特性 , PVK

Optical and Electrical Properties of the Composite of Porous Silicon and Poly(N-vinylcarbazole)

用旋涂法实现了多孔硅与聚乙烯咔唑(PVK)的复合,研究了多孔硅/PVK复合体系的光学性能和电学性能.PL谱的测试发现,复合体系的PL同时具有多孔硅和PVK的峰.此外,在485nm的位置出现了一个新峰,讨论了这个峰的来源.Ⅰ-Ⅴ特性测试表明,多孔硅/PVK异质结与多孔硅相比,Ⅰ-Ⅴ曲线呈现更好的整流特性,讨论了其原因.

参考文献

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