低温烧结ZnNb2O6/TiO2复合陶瓷的制备及介电性能研究

材料科学与工程学报, 2003, 21(5): 694-696. doi: 10.3969/j.issn.1673-2812.2003.05.018

低温烧结ZnNb2O6/TiO2复合陶瓷的制备及介电性能研究

张启龙 ^1, , 杨辉 ^2, , 王家邦 ^3, , 胡元云 ^4, , 朱玉良 ^5,

1.浙江大学材料系,浙江,杭州,310027

2.浙江大学材料系,浙江,杭州,310027

3.浙江大学材料系,浙江,杭州,310027

4.浙江正原电气股份有限公司,浙江,嘉兴,310043

5.浙江正原电气股份有限公司,浙江,嘉兴,310043

基金项目: 浙江省科技攻关项目(021101562)

关键词：介电性能 , 微波陶瓷 , 低温烧结 , 多相陶瓷

Synthesis and Dielectric Properties of ZnNb2O6/TiO2 Sintered at Low Temperature

本文研究了ZnO∶Nb2O5∶TiO2=1∶1∶x系统中x量的变化对材料烧结特性、相组成及介电性能的影响.随x的增加,致密化温度逐步升高,晶相组成逐步从ZnTiNb2O8相转变为(Zn0.15Nb0.3Ti0.55)O2相,介电常数增大,Q.f值先增后减,τf向正温度系数方向移动.当x=1.92,在930℃保温4h,可获得晶粒大小均匀、结构致密的烧结体,并有较佳的介电性能:εr=37.71,Q.f=10370GHz(fo=2.5GHz),τf=-2ppm/℃;x>1.92或<1.92,会出现气孔、晶粒异常长大等现象,从而导致材料损耗的增大.

参考文献

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[8]	Duck-Hwan Kim;Samg-Kyu Lim.[A].:195-198.
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Synthesis and Dielectric Properties of ZnNb2O6/TiO2 Sintered at Low Temperature

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