采用化学气相渗透(CVI)与先驱体浸渍裂解(PIP)两种工艺方法联用制备C/SiC陶瓷基复合材料,通过与单纯PIP工艺的致密化效率比较,复合材料的扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)分析,结果表明:采用CVI-PIP联用的方法制备C/SiC复合材料,致密化程度有明显的提高.CVI沉积SiC基体结晶性较好,为典型的β-SiC晶体结构;而PIP先驱体聚碳硅烷裂解基体为无定型结构,基体结构差异是决定材料结构与性能的关键因素.
参考文献
| [1] | SanokawaYutaka.ApplicationofContinuousFiberReinforcedSiliconCarbideMatrixCompositestoaCeramicgasterbineModelforAutomobiles[J].Ceramic Engineering and Science Proceedings,1997(04):221-228. |
| [2] | Harnisch.UltralightWeightC/SiCMirrorsandStructures[J].ESA Bulletin 95,1998(08):148-152. |
| [3] | A.Ortona;A.Donato;G.Filacchioni .SiC-SiC_f CMC manufacturing by hybrid CVI-PIP techniques: process optimisation[J].Fusion engineering and design,2000(0):159-163. |
| [4] | VishakSampath;Srinivas Palanki.Optimization of Isothermal-Isobaric Chemical Vapor Infiltratione[J].Computers and Chemical Engineering,1998(22):773-776. |
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