(Sr2+,Bi3+,Si4+,Ta5+)掺杂的TiO2压敏陶瓷中Ta5+的研究

材料科学与工程学报, 2005, 23(1): 96-98. doi: 10.3969/j.issn.1673-2812.2005.01.027

(Sr2+,Bi3+,Si4+,Ta5+)掺杂的TiO2压敏陶瓷中Ta5+的研究

孟凡明 ^1, , 胡素梅 ^2, , 傅刚 ^3, , 周方桥 ^4,

1.安徽大学物理与材料科学学院,安徽,合肥,230039

2.茂名学院技术物理系,广东,茂名,525300

3.广州大学固体物理与材料研究实验室,广东,广州,510405

4.广州大学固体物理与材料研究实验室,广东,广州,510405

关键词： TiO2基压敏陶瓷 , 压敏电压 , 非线性系数 , 介电常数

Investigation of Ta5+ in ( Sr2 + , Bi3 + , Si4 + , Ta5 + )-added TiO2-Based Varistor

研究Ta2O5对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷压敏特性及电容特性的影响,发现按配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bi2O3+SiO2)+0.1%Ta2O5配制的样品具有最低压敏电压(E10mA=1.2V·mm-1)、最大相对介电常数(εra=2.002×105)及较小非线性系数(a=2.6).考虑到材料的低压敏电压和大介电常数的要求,Ta2 O5最佳掺杂量在0.085mol%与0.1mol%之间.

参考文献

[1]	KatayamaK;AkibaT .[J].Chemical Senses,1983,1:437-440.
[2]	arringerEA;BowenHK .[J].Journal of the American Ceramic Society,1982,65(02):C199-C201.
[3]	YangS\nglu;Wu Jennming .[J].Journal of Materials Research,1995,10(02):345-352.
[4]	周方桥,李莉,庄严,傅刚,陈志雄.SrO-Nb2O5-TiO2系压敏陶瓷中Nb5+和Sr2+的研究[J].无机材料学报,2002(06):1174-1180.
[5]	罗建军;方湘怡;武明堂等.[J].西安交通大学学报,1997,31(09):62-66.
[6]	WuJM;chen C J .[J].Journal of Materials Science,1988,23:4157-4164.
[7]	李长鹏,王矜奉,陈洪存,苏文斌,钟维烈,张沛霖.掺钽对二氧化钛压敏电阻性能的影响[J].功能材料,2001(06):622-624.
[8]	莫以豪;李标荣;周国良.半导体陶瓷及其敏感元件[A].上海:上海科学技术出版社,1983
[9]	S A Planaro;P.R.Bueno;P. Olivi et al.J[J].Journal of Materials Science Letters,1997,16:634-638.

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