本文通过对端部霍尔离子源特性的研究,采用自行研制的用于离子束辅助沉积的端部霍尔离子源成功镀制了类金刚石膜,并对采用该离子源制备类金刚石膜的工艺进行了研究和分析.实验结果表明,采用端部霍尔离子源镀制类金刚石膜不仅操作简单、可实现大面积沉积,而且类金刚石膜的沉积速率较大,最大可达0.8nm/s,其折射率依不同工艺在1.8~2.2之间可调.并对不同工艺条件下制备的类金刚石膜的硬度进行了测试和分析.
参考文献
[1] | 马国佳,邓新绿.类金刚石膜的应用及制备[J].真空,2002(05):27-31. |
[2] | Wessmantel C.[J].Thin Solid Films,1979(06):61-66. |
[3] | 潘永强,朱昌,陈智利,杭凌侠.端部霍尔离子源工作特性及等离子体特性研究[J].真空科学与技术学报,2003(01):57-60. |
[4] | W Ensinger.[J].Nuclear Instruments and Methods in Physics Research,1997:796-781. |
[5] | uenzerA;Dishler et al.[J].Journal of Applied Physiology,1983,54(08):4590-4595. |
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