重掺硼直拉硅片中流动图形缺陷的显示

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基金项目: 国家杰出青年科学基金(50225210) 中国科学院资助项目(50072019)

Delineation of Flow Pattern Defects in Heavily Boron-doped Czochralski Silicon Wafer

本文针对重掺硼直拉单晶硅片中流动图形缺陷(FPDs)的显示进行了一系列实验,得到了一种能够腐蚀出重掺硼硅片中FPDs的Secco腐蚀液配方以及清晰显示出FPDs的最佳腐蚀时间.此外,本文就FPD的显示机理进行了探讨.

[1]	Park JG.;Kwack KD.;Park JM.;Lee GS. .Crystal originated particle induced isolation failure in Czochralski silicon wafers[J].Japanese journal of applied physics,2000(1):197-201.
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[3]	Secco D';Aragona F .[J].Journal of the Electrochemical Society,1972,119:948.
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