利用Monte Carlo模型研究了用PCVD法沉积a-Si:H薄膜初始阶段团簇的大小和数目与衬底温度的关系.该模型考虑了两个成长阶段,即成核阶段和晶核成长阶段;3种动力学过程,即粒子入射、吸附粒子扩散和吸附粒子脱附过程.模拟结果表明,随着衬底温度的升高,团簇的数目和大小都有所增长,且存在-个最佳温度550K,使团簇的数目达到饱和,晶粒为最大,与实验结果基本相符.
参考文献
| [1] | KnightsJ C;Lujan R A et al.[J].Applied Physics Letters,1981,38:331. |
| [2] | Hamasaki T;Vedn M;Chayahara A et al.[J].Applied Physics Letters,1984,41:1049. |
| [3] | 林璇英 等.[J].功能材料,1992,23(03):280. |
| [4] | 林鸿溢,余卫武,武旭辉,何宇亮.纳米硅薄膜分形凝聚模型[J].半导体学报,1995(08):567. |
| [5] | 刘祖黎,魏合林,王汉文,王均震.薄膜生长的随机模型[J].物理学报,1999(07):1302-1308. |
| [6] | Wu Feng-min et al.[J].中国物理快报(英文版),1998,15:916. |
| [7] | 林鸿溢,武旭辉,何宇亮,褚一鸣.纳米硅薄膜的生长动力学与计算机模拟[J].物理学报,1996(04):655-660. |
| [8] | 魏合林,刘祖黎,姚凯伦.超薄膜生长的Monte-Carlo研究[J].物理学报,2000(04):791-798. |
| [9] | 钟晓征 等.[J].功能材料,1999,30:232. |
| [10] | 钟晓征 等.[J].功能材料,1999,30(03):236. |
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