电场激活合成Mg2Si的热电性能研究

金属功能材料, 2009, 16(5): 19-21.

电场激活合成Mg2Si的热电性能研究

李柏松 ^1, , 陈超 ^2, , 王丽七 ^3, , 张楠 ^4, , 孟庆森 ^5,

1.太原理工大学材料科学与工程学院,山西太原,030024

2.太原理工大学材料科学与工程学院,山西太原,030024

3.太原理工大学材料科学与工程学院,山西太原,030024

4.太原理工大学材料科学与工程学院,山西太原,030024

5.太原理工大学材料科学与工程学院,山西太原,030024

基金项目: 山西省留学回国人员科研启动基金(2008-026) 国家自然科学基金(50671070)

关键词：热电材料 , Mg2Si , 电场激活压力辅助合成 , 热电效应

Thermoelectric Properties of Mg2 Si Synthesized by Field-activation

用Mg粉和Si粉通过电场激活加压辅助法(Field-activated and Pressure-assisted Synthesis,FAPAS),在1073 K、50 MPa条件下快速实现了Mg2Si块体热电材料的一步法合成与致密化;合成过程反应物反应完全,产物的XRD曲线的Mg2Si峰型尖锐,占产物含量的99.5%.合成样品的Seebeck系数、电导率、功率因子分别在562K、773 K、600 K时达到最大值.分别为445μVK-1、54.4 Scm-1、4.35 W/craK2.通过对比多种方法合成的Mg2Si热电材料的热电性能发现,FAPASA样品的功率因子比其它方法具有明显的优势.

参考文献

[1]	Riffat S B et al.[J].Applied Thermal Engineering,2003,23:913.
[2]	Yoshinaga M;Iida T;Noda M;Endo I;Takanashi Y .Bulk crystal growthOf Mg2Si by the vertical Bridgman method[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,2004(1):86-89.
[3]	Zhang Q.[J].Journal of A1loys Compounds,2007(09):101.
[4]	Thermoelectric Properties of Sb-doped Mg2Si0,5 Sn0,5[A].Vienna,Austria,2006:406.
[5]	Vining C.[A].IEEE,Cardiff,1991:249.
[6]	Riffel M et al.[J].Scripta Metallurgica et Materialia,1995,32:1951.
[7]	Tatsuhiko Aizawa et al.[J].Intermetallics,2006,14:382.
[8]	姜洪义 .Mg-Si基化合物的固相反应合成、材料制备及其热电性能研究[D].武汉理工大学,2003.
[9]	Tani Jun-ichi.[J].Intermetallics,2007:1202.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网