Fe4-xGaxN薄膜的制备及其电导行为

稀有金属材料与工程, 2015, 44(5): 1285-1288.

Fe4-xGaxN薄膜的制备及其电导行为

孙忠巍 ^1, , 王群 ^2, , 瞿志学 ^3, , 汤云晖 ^4, , 武彤 ^5,

1.北京工业大学,北京,100124

2.北京工业大学,北京,100124

3.北京工业大学,北京,100124

4.北京工业大学,北京,100124

5.中国计量科学研究院,北京,100013

基金项目: 国家自然科学基金(51202006)

关键词：电子束蒸发沉积 , Fe4-xGaxN , 电阻率

Preparation of Fe4-xGaxN Films and Their Conductive Behavior

Keywords： electron beam evaporation deposition , Fe4-xGaxN , resistivity

利用电子束蒸发沉积的方法制备了不同Ga含量的FeGa合金薄膜,采用XRD和EDS对制得的FeGa合金薄膜的物相和成分进行了分析.合金薄膜在氨/氢比1:1的气氛中500℃下被氮化,使用XRD、SEM对氮化后薄膜的物相组成、微观形貌进行了分析,并通过Hall测试系统对氮化后薄膜的电导行为进行了分析.结果表明,氮化得到了钙钛矿结构的Fe4-xGaxN,氮化后晶粒有轻微长大,Ga元素在薄膜中分布均匀;随着Ga含量的增大,薄膜的载流子浓度和电子迁移率都呈现出降低的趋势,电阻率逐渐增大.

参考文献

[1]	杨志民,毛昌辉,杜军,杨剑,苏兰英,高兆祖.Fe4 N电磁波吸收剂的合成及其吸波性能的研究[J].稀有金属,2002(02):103-107.
[2]	叶金文,刘颖,张然,陈梅,朱国丽,高升吉,涂铭旌.各向同性Sm2Fe17Nx磁粉及其粘结磁体的制备[J].稀有金属材料与工程,2007(02):329-331.
[3]	Zhao ZJ.;Li FS.;Xue DS. .X-ray diffraction and Mossbauer Studies of gamma '-(Fe1-xSnx)(4)N compounds (0.0 <= x <= 0.3)[J].Journal of Magnetism and Magnetic Materials,2001(3):155-160.
[4]	杜少鹏,赵晨威,罗炳成,邢辉,金克新,陈长乐.Li掺杂对Mn-ZnO薄膜结构,电学和磁学性能的影响[J].稀有金属材料与工程,2013(06):1306-1309.
[5]	孙慧卿,范广涵.基于霍尔效应的半导体外延片电参数测试[J].传感器技术,2004(02):38-39,43.

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