为了研究热屏位置对φ200 mm直拉硅单晶V/G、原生点缺陷浓度场以及热应力场的影响,使用CGSim有限元模拟软件进行了系统模拟.结果表明:热屏位置对硅单晶的V/G和原生点缺陷浓度的径向分布规律没有影响;较热屏至晶体侧表面距离相比,其底端至熔体表面距离的影响更大,即随着它的增加,V/G值沿径向普遍增大且由内向外变化程度增强,晶体心部高浓度空位区扩大,最大热应力减小.合理控制热屏底端至熔体表面的距离可有效改善晶体质量.
参考文献
| [1] | 滕冉,戴小林,徐文婷,肖清华,周旗钢.热屏优化对大直径单晶硅生长影响的数值模拟[J].人工晶体学报,2012(01):238-242,252. |
| [2] | 滕冉,戴小林,肖清华,周旗钢,常青.大直径硅单晶生长过程中固/液界面形状及熔体流动的数值分析[J].人工晶体学报,2013(04):611-615. |
| [3] | 苏文佳 .直拉法和定向凝固法晶体硅生长过程的数值模拟优化[D].江苏大学,2010. |
| [4] | Dornberger E.;Seidl A.;Schmitt S.;Leister HJ.;Schmitt C. Muller G.;Tomzig E. .THERMAL SIMULATION OF THE CZOCHRALSKI SILICON GROWTH PROCESS BY THREE DIFFERENT MODELS AND COMPARISON WITH EXPERIMENTAL RESULTS[J].Journal of Crystal Growth,1997(3/4):461-467. |
| [5] | 滕冉,戴小林,徐文婷,肖清华,周旗钢.热屏底端位置对生长300 mm硅单晶热场影响的数值模拟[C].第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议论文集,2011:221-224. |
| [6] | 张向宇,关小军,曾庆凯,潘忠奔,张怀金,王进.平均空位径向扩散通量对直拉硅单晶空洞演化影响的相场模拟[J].徐州工程学院学报（自然科学版）,2013(02):41-45. |
| [7] | 曾庆凯,关小军,潘忠奔,张怀金,王丽君,禹宝军,刘千千.直拉单晶硅生长时空洞演化的相场模拟[J].人工晶体学报,2012(04):888-895. |
| [8] | Jyh-Chen Chen;Ying-Yang Teng;Wan-Ting Wun;Chung-Wei Lu;Hsueh-I Chen;Chi-Yung Chen;Wen-Chieh Lan .Numerical simulation of oxygen transport during the CZ silicon crystal growth process[J].Journal of Crystal Growth,2011(1):318-323. |
| [9] | Omidreza Asadi Noghabi;Moez Jomaa;Mohammed M'hamdi .Analysis of W-shape melt/crystal interface formation in Czochralski silicon crystal growth[J].Journal of Crystal Growth,2013(Jan.1):77-82. |
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