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以MgO-CeO2为烧结助剂,采用热压烧结工艺在1850℃下制备了SiC基复相陶瓷.研究了不同AlN含量对复相陶瓷致密性与导热性能的影响.结果表明:不添加AlN时,试样致密性最差,气孔率和体积密度分别为4.71%和2.43 g/cm3.AlN含量升高至5wt%时,试样致密性有所提高.AlN含量进一步升高至10wt%~20wt%,试样完全致密,气孔率和体积密度分别保持在0.20%和3.31 g/cm3.在AlN含量为10wt%时,样品具有最高的热导率51.62 W·m-1·K-1,同时弯曲强度和断裂韧性达到顶点,分别为731.3 MPa和7.3 MPa·m1/2.

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