运用磁控溅射的方法,在表面氧化的Si(100)基片上制备了一系列不同厚度的La2/3Sri/3MnO3多晶薄膜.根据对输运的研究,发现存在一个厚度73nm,当t＞73nm的时候,薄膜呈现出与块材类似的输运特点,而当t＜73nm的时候,薄膜的电阻太大以至于薄膜的金属-绝缘体转变温度(Tp)变得不可测量.X射线衍射(XRD)结果显示:在t=73nm附近存在一个结构的转变.这表明La2/3Sr1/3MnO3不同厚度多晶薄膜的输运性质的不同或许来自结构的转变.
参考文献
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