电阻率对N型单晶硅电池电性能影响的研究

硅酸盐通报 , 2014, 33(8): 2128-2132.

电阻率对N型单晶硅电池电性能影响的研究

贾琰 ^1, , 王振交 ^2, , 严慧敏 ^3, , 张光春 ^4, , 李果华 ^5,

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关键词：电阻率 , N型单晶硅太阳电池 , 少子寿命 , 方块电阻 , 电池性能

Influence of Different Resistivity on N-type Monocrystalline Silicon Solar Cell Performance

Keywords： resistivity , N-type monocrystalline silicon solar cell , minority carrier lifetime , sheet resistance , cell performance

近年来,P型太阳电池商业化生产效率已趋于稳定,N型太阳电池逐渐走向产业化.基于N+ Np+型铝背结单晶硅太阳电池,研究了电阻率为1 ～5.5 Ω·cm的N型硅衬底材料经过相同工艺后电池性能的差别,可以有效的节省成本.通过选用不同电阻率的N型硅片,经过相同的工艺制备N型单晶硅太阳电池,采用QSSPC、四探针、ECV、恒光源Ⅰ-Ⅴ测试系统对电池的少子寿命、方块电阻、磷元素分布、电性能进行测量.实验结果表明:虽然电池的少子寿命随电阻率的升高而升高,但是在方块电阻、磷元素分布、开路电压Voc、短路电流Isc、填充因子FF、转换效率Eff等方面不同电阻率的电池并无明显差异.

参考文献

[1]	王楠,张瑜,周玉琴.硅异质结电池界面处理关键工艺的研究[J].人工晶体学报,2013(02):235-239.
[2]	Rudiger, M. .Efficiency Potential of -Type Silicon Solar Cells With Aluminum-Doped Rear Emitter[J].IEEE Transactions on Electron Devices,2012(5):1295-1303.
[3]	Sugianto, A.;Mai, L.;Edwards, M. B.;Tjahjono, B. S.;Wenham, S. R. .Investigation of Al-Doped Emitter on N-Type Rear Junction Solar Cells[J].IEEE Transactions on Electron Devices,2010(2):525-529.
[4]	艾凡凡,张光春,顾晓峰,李果华,汪义川,杨健,陈如龙,贾积凯,张杰,黄治国.氮化硅掩膜法制备选择性发射极晶体硅太阳电池[J].人工晶体学报,2009(02):382-386.

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