详细观察了长条形NiFe薄膜元件(宽120μm,厚40nm)沿难轴方向(长方向)磁化和反磁化过程中磁畴结构变迁的全过程.观察表明,在磁化过程中,磁化转动和不可逆畴壁位移同时存在;在反磁化过程中,畴壁合并、封闭畴转变和畴壁极性转变是最主要的不可逆因素,也是造成元件输出讯号中Barkhausen噪声的主要物理根源.
参考文献
| [1] | Decker S K;Tsang C .[J].IEEE Transactions on Magnetics,1980,MAG16(06):643-645. |
| [2] | Tsang C;Decker S K .[J].Journal of Applied Physics,1981,52(03):2465-2467. |
| [3] | Tsang C;Decker S K .[J].Journal of Applied Physics,1982,53(03):2602-2604. |
| [4] | Cross R W;Kos A B;Thompson C A .Digests of INTERMAG[Z].,1993. |
| [5] | 余晋岳;张明生;周狄.[J].物理测试,1998(01):34-37. |
| [6] | Prutton M.Thin Feromagnetic Films[M].London:Butterworths,1964:45. |
| [7] | 余晋岳 等.[J].功能材料,1999,30(01):15-17. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%