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介绍了ITO薄膜的基本特性和透明导电原理,综述了ITO薄膜主要的制备技术及其研究进展,并指出了不同制备方法的优缺点.还对ITO薄膜晶格常数畸变、载流子浓度上限和最佳掺杂量、红外反射率、光吸收边的移动等基础理论研究进展进行了归纳.今后,还需要在低温或室温ITO薄膜的制备、ITO薄膜的导电机理、纳米尺度ITO材料的特性等方面加强研究.

参考文献

[1] 张亚萍,殷海荣,黄剑锋,李启甲.透明导电薄膜的研究进展[J].光机电信息,2006(02):56-60.
[2] 公衍生,王传彬,沈强,张联盟.氧化物功能薄膜材料的研究新进展[J].中国表面工程,2004(04):10-14.
[3] 望咏林,颜悦,沈玫,贺会权,张官理.透明导电氧化物薄膜研究进展[J].材料导报,2006(z1):317-320.
[4] 王树林,夏冬林.ITO薄膜的制备工艺及进展[J].玻璃与搪瓷,2004(05):51-54.
[5] 段学臣;杨向萍.新材料ITO薄膜的应用和发展[J].稀有金属与硬质合金,1999(03):58-60.
[6] 王华.特色功能材料--透明导电氧化物薄膜[J].材料导报,2005(11):101-104.
[7] 沈奕,邱育明,蔡友庆,杨柳根.LCD制程中热处理对ITO膜电学和光学性质的影响[J].现代显示,2005(03):51-54.
[8] 张树高;黄伯云;方勋华 .ITO薄膜的半导化机理、用途和制备方法[J].材料导报,1997,11(04):11-14.
[9] 任丙彦,刘晓平,李彦林,王敏花,羊建坤,许颖.工作气压对磁控溅射ITO薄膜性能的影响[J].人工晶体学报,2007(04):798-801.
[10] 周宏明,易丹青,杨小玲.ITO薄膜的生产技术概况及发展趋势探讨[J].表面技术,2006(01):1-4.
[11] 蔡琪,曹春斌,江锡顺,宋学萍,孙兆奇.ITO薄膜的微结构表征及其组分特性[J].真空科学与技术学报,2007(03):195-199.
[12] 王军,林慧,杨刚,蒋亚东,张有润.直流磁控溅射ITO薄膜的正交试验分析[J].半导体光电,2007(01):68-71,75.
[13] Chamberlin R R;SkarmanJ S .Chemically Sprayed Thin Film Photo Voltaic Converters[J].Electroehem Soc,1966,113(01):87-91.
[14] Vasu Vand Subrahmanyam A .Reaction Kinetics of the Formation of Indium Tin Oxide Films Grown by Spray Pyrolysis[J].Thin Solid Films,1990,193(01):696-703.
[15] 季振国,赵丽娜,何作鹏,陈琛,周强.喷雾热解法制备p型铟锡氧化物透明导电薄膜[J].无机材料学报,2006(01):211-216.
[16] 何光宗,熊长新,姚细林.氧离子辅助反应蒸发法制备ITO薄膜的研究[J].光学与光电技术,2007(01):71-74.
[17] Maruyama Toshiro;Fukui Kunihiro .Indium Tin Oxide Thin Films Prepared by Chemical Vapour Deposition[J].Thin Solid Films,1991,203(02):297-302.
[18] Bruce Mayer .Highly Conductive And Transparent Films of Tin And Fluorine Doped Indium Oxide Produced by APCVD[J].Thin Solid Films,1992,221(01):166-182.
[19] 冯端;师昌绪;刘治国.材料科学导论[M].北京:化学工业出版社,2002:461-461.
[20] Hong Sung-Jei;Han Jeong-In .Indium Tin Oxide(ITO)Thin Film Fabricated by Indium-Tin-Organic Sol Including ITO Nanoparticle[J].Current Applied Physics,2006,6(z1):206-210.
[21] 沈军,王珏,吴广明,倪星元,周斌,陈玲燕.化学法制备光学薄膜及其应用[J].原子能科学技术,2002(04):305-308.
[22] 张凤,陶杰,董祥.柔性透明导电薄膜及其制备技术[J].材料导报,2007(03):119-122,129.
[23] 陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时.In2O3:Sn和ZnO:Al透明导电薄膜的结构及其导电机制[J].半导体学报,2000(04):394-399.
[24] 范志新.ITO薄膜载流子浓度的理论上限[J].现代显示,2000(03):18-22.
[25] 范志新,孙以材,陈玖琳.氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算[J].半导体学报,2001(11):1382-1386.
[26] 张维佳,王天民,钟立志,吴小文,崔敏.ITO导电膜红外发射率理论研究[J].物理学报,2005(09):4439-4444.
[27] 张德恒 .透明导电膜中光吸收边的移动[J].半导体杂志,1998,23(03):34-43.
[28] 陈金伙,欧谷平,张福甲.ITO作为源漏电极的有机场效应晶体管[J].功能材料与器件学报,2007(02):164-168.
[29] 黄跃文;章壮健 .不连续Pt薄膜对ITO薄膜气敏特性的影响[J].真空科学与技术,1993,13(05):330-334.
[30] 刘隆鉴,章壮健.透明导电氧化铟锡薄膜的特殊应用[J].物理,1996(07):439.
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