4H-SiC的强氧化液化学机械抛光

人工晶体学报, 2015, 44(7): 1741-1747.

4H-SiC的强氧化液化学机械抛光

梁庆瑞 ^1, , 胡小波 ^2, , 陈秀芳 ^3, , 徐现刚 ^4, , 宗艳民 ^5, , 王希杰 ^6,

1.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100;山东天岳晶体材料有限公司,济南250111

2.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

3.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

4.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

5.山东天岳晶体材料有限公司,济南,250111

6.山东天岳晶体材料有限公司,济南,250111

基金项目: National Basic Research Program of China(2011CB301904) Natural Science Foundation of China(11134006,51321091)

关键词：碳化硅 , 化学机械抛光 , 高锰酸钾 , 粗糙度 , 去除率

Chemical Mechanical Polishing of 4H-SiC with Strong Oxidizing Slurry

Keywords： SiC , CMP , KMnO4 , roughness , remove rate

研究了一种新型的化学机械抛光方法,使用以KMnO4作为氧化剂的强氧化性化学机械抛光液(SOAS)进行化学机械抛光.研究了在4H-SiC硅面和碳面的化学机械抛光过程中,SOAS溶液中KMnO4的浓度对抛光质量的影响.使用原子力显微镜(AFM)和精密电子天平,分别测试了表面粗糙度和去除率.结果表明,适量的KMnO4可以大幅度提高4H-SiC的化学机械抛光去除率,同时可提高4H-SiC衬底的表面抛光质量.

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