CdZnTe单晶的机械抛光及其表面损伤层的测定

功能材料, 2006, 37(1): 120-122.

CdZnTe单晶的机械抛光及其表面损伤层的测定

查钢强 ^1, , 介万奇 ^2, , 李强 ^3, , 刘永勤 ^4,

1.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

2.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

3.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

4.西凯光电子材料技术发展有限责任公司,陕西,西安,710072

基金项目: 中国科学院资助项目(50336040)

关键词： CdZnTe , 机械抛光 , X射线摇摆曲线 , 表面损伤层

Mechanical polishing of CdZnTe single crystal and measurement of surface damage layer

研究了CdZnTe单晶片的机械抛光工艺.采用SiO2和MgO进行分步机械抛光后的晶片光亮平整,在光学显微镜下观察没有划伤,采用New View5000TM测得抛光后晶片的表面粗糙度Ra为8.752nm.采用X射线摇摆曲线的半峰宽表征了表面损伤程度.通过分析不同时间腐蚀后晶片的质量和半峰宽值,计算出机械抛光产生的表面损伤层厚度约为26.7μm.

参考文献

[1]	李奇峰 .碲锌镉单晶体生长及碲锌镉室温核辐射探测器制备[D].四川大学,2002.
[2]	Doty F P;Schetzina J F;Butler J F et al.[J].Journal of Vacuum Science and Technology B:Microelectronics and Nanometer Structures,1992,10:1418.
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[7]	莫玉东;岳全龄;陈华 .[J].云南大学学报(自然科学版),1998,20
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