通过射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了未掺杂和Nd掺杂ZnO薄膜,研究了衬底温度、氧分压以及Nd不同掺杂浓度等工艺参数对薄膜的影响.薄膜的结构和表面形貌通过XRD分析和AFM观测,表明制备的薄膜为ZnO:Nd纳米多晶薄膜,其表面形貌粗糙,不同沉积条件对薄膜生长有很大的影响.在纯氩气氛中、衬底温度为300℃的条件下,ZnO:Nd薄膜具有c轴择优取向.
参考文献
| [1] | Lee J B;Lee M H;Park C K et al.[J].Thin Solid Films,2004,447-448:296-301. |
| [2] | Paraguay F D;Miki-Yoshida M U;Morales J .[J].Thin Solid Films,2000,373:137-140. |
| [3] | Hong H K;Shin H W;Park H S et al.[J].Sensors and Actuators B:Chemical,1996,33:68-71. |
| [4] | Kadot M;Miura T;Minakat M et al.[J].Journal of Crystal Growth,2002,237-239:523-527. |
| [5] | 郑子樵;李红英.稀土功能材料[M].北京:化学工业出版社,2003 |
| [6] | Li W J;Shi E W;Zhong W Z et al.[J].Journal of Crystal Growth,1999,203(122):1862196. |
| [7] | 田民波.薄膜技术与薄膜材料[M].北京:清华大学出版社,2006:206. |
| [8] | 范希梅 .氧化锌薄膜的制备及性能研究[D].长春:吉林大学,2003. |
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