掺Mo纳米VO2粉体的相变特性研究

稀有金属材料与工程, 2006, 35(10): 1554-1556.

掺Mo纳米VO2粉体的相变特性研究

黄维刚 ^1, , 林华 ^2, , 范樵乔 ^3, , 涂铭旌 ^4,

1.四川大学材料科学与工程学院,四川,成都,610065

2.西南师范大学材料科学与工程系,重庆,400715

3.四川大学材料科学与工程学院,四川,成都,610065

4.四川大学材料科学与工程学院,四川,成都,610065

基金项目: 四川省科技厅资助项目(04JY029-072-1)

关键词：纳米材料 , 二氧化钒 , 热致相变 , 掺杂

Study of Phase Transition Characters of Mo-doped Nonosized VO2 Powders

采用一种制备掺杂纳米VO2粉体的新方法获得掺Mo纳米VO2粉体.用XRD,TEM,XPS手段对掺杂纳米VO2的结构进行了表征,并研究了掺杂VO2的相变特性.结果表明,所制备的纳米VO2的尺寸约为26 nm,形貌呈近球形.掺入的Mo以Mo+6的形式存在于VO2的晶格中,形成V1-xMoxO2固溶体.掺杂纳米VO2粉体的电阻随温度的变化具有明显的开关特性.随掺入Mo含量的增加,VO2的相变温度呈线性下降,在6%MoO3的掺入量时,相变温度降为45℃.

参考文献

[1]	Kivaisi R.T.;Samiji M. .Optical and electrical properties of vanadium dioxide films prepared under optimized RF sputtering conditions[J].Solar Energy Materials and Solar Cells: An International Journal Devoted to Photovoltaic, Photothermal, and Photochemical Solar Energy Conversion,1999(2):141-152.
[2]	Chen Sihai;Ma Hong;Yi Xinjian et al.[J].Sensors and Actuators A:Physical,2004,115:28.
[3]	Moon-Hee Lee .[J].Solar Energy Materials and Solar Cells,2002,71:537.
[4]	Stanley A Lawton;Edward A Theby .[J].Journal of the American Ceramic Society,1995,78(01):238.
[5]	Burkhardt W.;Christmann T.;Franke S.;Kriegseis W.;Meister D.;Meyer BK.;Niessner W.;Schalch D.;Scharmann A. .Tungsten and fluorine co-doping of VO2 films[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,2002(1/2):226-231.
[6]	黄维刚;林华;范樵乔 et al.[P].CN 100207898,2005.
[7]	Tang G C;Georgopoulos P;Fine M E et al.[J].Physical Review B,1985,31:1000.

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