Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响

人工晶体学报, 2013, 42(5): 865-868.

Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响

姜涛 ^1, , 严成锋 ^2, , 陈建军 ^3, , 刘熙 ^4, , 杨建华 ^5, , 施尔畏 ^6,

1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201899;中国科学院大学,北京100049

2.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201899

3.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201899

4.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201899

5.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201899

6.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201899

基金项目: 国家自然科学青年基金(51002176) 江苏省产学联合技术创新基金项目(BY2011119) 国家高技术研究发展计划(863计划)(2013AA031603) 中国科学院知识创新工程重要方向项目(KJCX2-EW-W10)

关键词： 6H-SiC , 退火 , AFM , 台阶结构

Effect of Annealing on the Surface Structure of 6H-SiC Wafer in Ar Atmosphere

本文对物理气相传输法生长的三片2英寸掺氮6H-SiC晶片,分别在不同温度下进行退火处理.采用原子力显微镜(AFM)对SiC晶片表面结构进行表征,研究了不同温度和偏角度对SiC晶片表面结构的影响.发现Ar气氛下高温退火处理可以在晶片表面形成规则的台阶条纹,说明Ar气氛下的高温退火处理对SiC晶片表面有一定的刻蚀作用.

参考文献

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