Ag掺杂对新型SnO2压敏材料的电学性质的影响

功能材料, 2003, 34(6): 685-689.

Ag掺杂对新型SnO2压敏材料的电学性质的影响

王矜奉 ^1, , 陈洪存 ^2, , 王文新 ^3, , 苏文斌 ^4, , 臧国忠 ^5, , 亓鹏 ^6, , 王春明 ^7, , 赵春华 ^8, , 高建鲁 ^9,

1.山东大学,物理与微电子学院,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

2.山东大学,物理与微电子学院,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

3.山东大学,物理与微电子学院,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

4.山东大学,物理与微电子学院,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

5.山东大学,物理与微电子学院,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

6.山东大学,物理与微电子学院,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

7.山东大学,物理与微电子学院,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

8.滨州师范专科学校,物理系,山东,滨州,256604

9.济南安太电子研究所,山东,济南,250010

基金项目: 国家自然科学基金(50072013)

关键词：氧化银 , 二氧化锡 , 势垒 , 电学非线性

Effect of Ag dopant on the electrical properties of novel SnO2 varistors

烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的.为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2*6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验.当AgO的含量从0.00增加到1mol%时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从349V/mm增大到429V/mm,1kHz时的相对介电常数从2240减小到1560.晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高和介电常数迅速减小的主要原因.对Ag掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.

参考文献

[1]	Gupta T K .[J].Journal of the American Ceramic Society,1990,73(07):1817-1840.
[2]	Emtage P R .[J].Journal of Applied Physics,1977,48(10):4372-4384.
[3]	Fagan J G;Amarakoon V R W .[J].American Ceramic Society Bulletin,1993,72(03):119-130.
[4]	Varela J A;Whittemore O J;Longo E .[J].Ceramics International,1990,16(03):177-189.
[5]	Pianaro S A;Bueno P R;Longo E et al.[J].Journal of Materials Science Letters,1995,14(10):692-694.
[6]	LI C P;Wang J F;Su W B et al.[J].The European Physical Journal Applied Physics,2001,16:3-9.
[7]	Li Changpeng;Wang Jinfeng;Su Wenbin et al.[J].Physical Review B,2001,307:1-8.
[8]	Li Changpeng;Wang Jinfeng;Su Wenbin et al.[J].Ceramics International,2002,28:521-526.
[9]	Wang JF.;Wang YJ.;Su WB.;Chen HC.;Wang WX. .Novel (Zn,Nb)-doped SnO2 varistors[J].Materials Science & Engineering, B. Solid-State Materials for Advanced Technology,2002(1):8-13.
[10]	Pianaro S A;Bueno P R;Longo E et al.[J].Journal of Materials Science Letters,1997,16(06):634-638.

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