采用密度泛函理论计算的方法研究了Zn空位缺陷下ZnO的电子结构性质.结果表明,所有ZnO材料均为直接带隙型材料,含有Zn空位缺陷的ZnO禁带宽度由0.78 eV分别增加至1.62 eV和1.58 eV.所有ZnO的总态密度曲线具有相似的形状,含有Zn空位缺陷的ZnO的总态密度曲线极值点数量减少,局域化能量点数量减少.含有Zn空位缺陷的ZnO费米能上的态密度降低.随着Zn空位缺陷浓度的增加,ZnO费米能上的p态电子数量逐渐增加,这主要由来自于Op态电子的贡献.
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