通过对Mn位Ru替代体系Pr0.5Cao.5Mn1-xRuxO3(0.00≤x≤0.09)的磁性及电输运机制进行研究,发现Ru元素的替代对居里温度Tc、绝缘体-金属相变温度TIM有明显影响,导致了异常电输运及磁电阻行为的出现;随着Ru含量的增加,Tc及TIM均向高温区移动,在外加磁场作用下,电阻率峰值被强烈压缩,从而导致了Ru掺杂x＝0.005的样品在绝缘体-金属(I-M)相变温区附近极大CMR效应的出现.这些结果均显示了Mn3+与Ru4+/Ru5+之间交换作用的存在,我们的研究表明:Mn位Ru替代是一种提高和调节CMR效应的有效方法.
参考文献
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| [2] | J. R. Sun;G. H. Rao;B. G. Shen .Doping effects arising from Fe and Ge for Mn in La↓(0.7)Ca↓(0.3)MnO↓(3)[J].Applied physics letters,1998(19/24):2998-3000. |
| [3] | 方学玲,姚兰芳,关飞飞,田琳琳,许瑞清.超顺磁纳米γ-Fe_2O_3/SiO_2复合材料的制备和磁性能研究[J].低温物理学报,2010(01):16-21. |
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