电场增强金属诱导侧向晶化制备多晶硅薄膜和薄膜晶体管

功能材料, 2004, 35(z1): 1172-1179.

1.华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074

2.南洋理工大学,电气与电子工程学院,新加坡,639798

3.南洋理工大学,电气与电子工程学院,新加坡,639798

4.新加坡制造技术研究所,新加坡,639075

The p-channel poly-Si TFTs fabricated by electric-field enhanced metal-induced lateral crystallization

采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,拉曼光谱分析表明侧向扩散区域结晶效果最好,X射线衍射分析表明加电场于两电极之间有促进晶化的作用,可以得到结晶良好的多晶硅薄膜.采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/V·s,开关态电流比为5×106.

[1]	Giust GK;Sigmon TW .Microstructural characterization of solid-phase crystallized amorphous silicon films recrystallized using an excimer laser[J].Applied physics letters,1997(6):767-769.
[2]	Little T W;Takahara K;Koike H et al.[J].Japanese Journal of Applied Physics,1991,30(12B):3724-3728.
[3]	Lee S W;Joo S K .[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1996,17:160-162.
[4]	Efremov M D;Bolotov V V;Volodin V A .[J].Journal of Physics:Condensed Matter,1996,8:273-286.
[5]	Crowder M A;Voutsas A T;Droes S R et al.[J].IEEE Transactions on Electron Devices,2004,51(04):560-568.
[6]	Mei P;Boyce J B;Hack M et al.[J].Applied Physics Letters,1994,64(09):1132-1134.
[7]	Yoon S Y;Park S J;Kim K H et al.[J].Thin Solid Films,2001,383:34-38.
[8]	Secco F A .[J].Journal of the Electrochemical Society,1972,119:948-952.
[9]	Zeng X B;Sun X W;Sin K O Johnny et al.[J].Microelectronics Journal,2003,34:1079-1085.
[10]	Cheric R K Paul Andry.Thin Film Transistors[M].New York:eMagin Corporation,2003:73-81.

上一张下一张

计量

作者相关

文章评分