以Al2O3/AlN为复合绝缘缓冲层的ZnO-TTFT透过率的研究

功能材料, 2007, 38(2): 186-189.

以Al2O3/AlN为复合绝缘缓冲层的ZnO-TTFT透过率的研究

袁广才 ^1, , 徐征 ^2, , 张福俊 ^3, , 王勇 ^4, , 许洪华 ^5, , 孙小斌 ^6,

1.北京交通大学,光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044

2.北京交通大学,光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044

3.北京交通大学,光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044

4.北京交通大学,光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044

5.北京交通大学,光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044

6.北京交通大学,光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2003CB314707) 国家自然科学基金(10374001;60576016) 国家自然科学基金(10434030)

关键词： ZnO薄膜 , 反应磁控溅射 , 透射率 , 透明薄膜晶体管

Study on transmittance of ZnO based on transparent thin-film transistor with complex insulative buffer layer of Al2O3/AlN

采用射频反应磁控溅射的方法,以ITO(铟锡氧化物)玻璃为衬底,在Al2O3/AlN复合栅极绝缘层上沉积有源层ZnO薄膜,并以Al作为透明薄膜晶体管器件源极和漏极,通过XRD、透射光谱研究了透明薄膜晶体管的有源层ZnO的结晶情况以及对器件在可见光范围内的透过特性的影响,得出以Al2O3/AlN为复合缓冲层薄膜晶体管,在400℃温度下退火处理后,ZnO有源层有较好的c-axis(002)择优取向,器件在可见光的范围内整体透过率在88%以上,从而实现了ZnO-TFT器件在可见光范围内的透明.

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