欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

本文在热丝化学气相沉积(HFCVD)系统上,采用不同的工艺参数进行了钛衬底掺硼金刚石(Ti/BDD)涂层电极的制备试验,研究了衬底温度和碳源浓度对Ti/BDD涂层电极质量的影响,优化了制备Ti/BDD涂层电极的工艺条件.结果表明,沉积Ti/BDD涂层电极最合适的衬底温度为770 ℃,最适宜的C/H为2.0%.采用循环伏安法研究了用优化的工艺参数制备的Ti/BDD涂层电极的电化学性能,结果表明Ti/BDD涂层电势窗口宽、析氧电位高、背景电流小,是一种有广阔应用前景的电极材料.

参考文献

[1] 陈兴峰,戴军之,黄铭敏,左敦稳,周亮,康静.掺硼金刚石厚膜电极污水处理实验研究[J].机械制造与自动化,2008(04):12-14,32.
[2] M. Fryda;Th. Matthee;S. Mulcahy;A. Hampel;L. Schafer;I. Troster .Fabrication and application of Diachem electrodes[J].Diamond and Related Materials,2003(10/11):1950-1956.
[3] 杨玉卫,杨坚,古宏伟,刘慧舟,张华,金薇.类金刚石膜的性能、制备及其应用[J].硅酸盐通报,2008(01):119-126.
[4] 霍思涛 .硼掺杂钛基金刚石薄膜电极的制备研究[D].天津理工大学,2006.
[5] F. Beck;W. Kaiser;H. Krohn .Boron doped diamond (BDD)-layers on titanium substrates as electrodes in applied electrochemistry[J].Electrochimica Acta,2000(28):4691-4695.
[6] Isabella Gerger;Roland Haubner .The behaviour of Ti-substrates during deposition of boron doped diamond[J].International Journal of Refractory Metals & Hard Materials,2008(5):438-443.
[7] 钟磊,卢文壮,王鸿翔,徐锋,左敦稳.小型化CVD金刚石膜沉积设备控制系统研究[J].硅酸盐通报,2007(06):1058-1063,1072.
[8] 卢文壮,左敦稳,王珉,黎向锋,徐锋,褚向前.大面积B掺杂CVD金刚石膜的制备研究[J].人工晶体学报,2004(05):726-730.
[9] 卢文壮,左敦稳,徐锋,王珉.B掺杂CVD金刚石厚膜的应力研究[J].硅酸盐通报,2008(05):1010-1013.
[10] 戴达煌;周克崧.金刚石薄膜沉积制备工艺与应用[M].北京:冶金工业出版社,2001:119-121.
[11] 李建国,刘实,李依依,胡东平,李军,周德惠.热丝法气相沉积金刚石薄膜的影响因素[J].金刚石与磨料磨具工程,2004(01):41-44.
[12] 赵国华,李明利,吴薇薇,李荣斌,何贤昶.金刚石膜电极对有机污染物的电催化特性[J].环境科学,2004(05):163-167.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%