烧结温度对PMSZT压电陶瓷性能的影响

稀有金属材料与工程, 2008, 37(z1): 195-198.

烧结温度对PMSZT压电陶瓷性能的影响

何杰 ^1, , 孙清池 ^2, , 刘培祥 ^3, , 李红元 ^4,

1.天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072

2.天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072

3.天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072

4.天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072

基金项目: 教育部重点实验室基金(x06050)

关键词：压电陶瓷 , 锑锰锆钛酸铅 , SiO2 , 低温烧结

Effects of Sintering Temperature on the Properties of PMSZT Piezoelectric Ceramics

探讨了烧结温度对SiO2掺杂锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1、3Sb2、3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(简称PMSZT)压电陶瓷性能的影响.通过X射线衍射及扫描电镜分析Pb(Mn1、3Sb2、3)0.05Zr0.47Ti0.48O3+0.1%(SiO2)(质量分数)陶瓷的相组成和显微结构.结果表明:合成温度900℃时,可以得到钙钛矿结构.对于适量SiO2掺杂PMSZT压电陶瓷,可以在1100～1150℃时烧结实现致密化,并且介电压电性能较好,当烧结温度为1100℃时综合性能最佳,E33T/ε0=1290,tanδ=0.45%,d33=264 pC/N,Kp=0.59,Qm=2400.

参考文献

[1]	周桃生,彭炜,苗君,邝安祥.低温烧结压电陶瓷材料及应用[J].湖北大学学报(自然科学版),2000(01):49-53.
[2]	付剑;李承恩;赵梅瑜 et al.[J].材料导报,2000,14(01):38.
[3]	Sadayuki Takahashi .[J].Japanese Journal of Applied Physics,1980,19(04):771.
[4]	Wittmer D E;Buchanan R C .[J].Journal of the American Ceramic Society,1981,64(08):485.
[5]	柴京鹤;李龙土;张孝文 .[J].清华大学学报（自然科学版）,1988,28(03):1.
[6]	Corker D L;Whatmore R W;Ringgaard E et al.[J].Journal of the European Ceramic Society,2000,20:2039.
[7]	Nielsen E R;Ringgaard E;Kosec M .[J].Journal of the European Ceramic Society,2002,22:1847.
[8]	Wang M C;Huang M S;Wu N C .[J].Journal of the European Ceramic Society,2002,22:697.
[9]	Kakegawa K;Mohri J et al.[J].Journal of the Ceramic Society of Japan,1986,94:470.
[10]	Yamamura H;Kuramoto S;Hanada H et al.[J].Journal of the American Ceramic Society,1984,67(01):2.
[11]	钱方.掺杂Fe2+,B13+,Cu2+的PZT陶瓷低温烧结[J].大连轻工业学院学报,2000(03):157-160.
[12]	张福学;王丽坤.现代压电学[M].北京:科学出版社,2002:149.
[13]	Gui Z L;Li L T;Liu H Q et al.[J].Ferroelectrics,1990,101:93.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

烧结温度对PMSZT压电陶瓷性能的影响

Effects of Sintering Temperature on the Properties of PMSZT Piezoelectric Ceramics

参考文献