一种电可擦写可读出的有机薄膜存储器件

功能材料, 2004, 35(z1): 1186-1192.

一种电可擦写可读出的有机薄膜存储器件

郭鹏 ^1, , 蔡永挚 ^2, , 刘春明 ^3, , 吕银祥 ^4, , 徐伟 ^5, , 潘星龙 ^6, , 华中一 ^7,

1.复旦大学,材料科学系,上海,200433

2.复旦大学,材料科学系,上海,200433

3.复旦大学,材料科学系,上海,200433

4.复旦大学,材料科学系,上海,200433

5.复旦大学,材料科学系,上海,200433

6.复旦大学,材料科学系,上海,200433

7.复旦大学,材料科学系,上海,200433

基金项目: 国家自然科学基金(60171008) 教育部跨世纪优秀人才培养计划上海市纳米科技专项基金(0214nm005)

关键词：有机分子材料 , 电双稳 , 可电写擦、可电读出分子器件

An electrical rewritable, erasable and readable organic film memory device

报道一种具有可逆电双稳特性的有机薄膜存储器件.器件采用三明治夹层结构:Ag/DBCN/Al,DBCN为有机分子材料的简称.这种薄膜器件可以通过改变外加电场的大小来控制所处的状态,表现出高电压区(＞6V)为高阻态(＞106Ω),低电压区(1～2V)为低阻态(～103Ω)的特性,外电场消失时其状态能够长时间保持稳定(超过3个月),还可以用小电压脉冲信号(＜0.5V)来读取其状态信息.此外还发现该器件具有良好的耐热稳定性.

参考文献

[1]	Hua ZY.;Xu W.;Chen DY.;Chen GR. .New organic bistable films for ultrafast electric memories[J].Applied Surface Science: A Journal Devoted to the Properties of Interfaces in Relation to the Synthesis and Behaviour of Materials,2001(0):447-451.
[2]	Xu W;Chen G R;Li R J et al.[J].Applied Physics Letters,1995,67:2241.
[3]	Itkis ME;Chi X;Cordes AW;Haddon RC .Magneto-opto-electronic bistability in a phenalenyl-based neutral radical[J].Science,2002(5572):1443-1445.
[4]	Sven M;Craig P;Warren J et al.[J].Nature,2003,426:166.
[5]	Ma L P;Liu J;Yang Y et al.[J].Applied Physics Letters,2002,16:2997.
[6]	Anirban B;Amlan J P .[J].Applied Physics Letters,2003,82:1215.
[7]	Chen Y;Ohlberg D A A;Li X et al.[J].Applied Physics Letters,2003,82:1610.
[8]	Dominique V;Stephane L .[J].Microelectronic Engineering,2003,70:539.
[9]	夏焱,徐伟,农昊,潘星龙,诸葛健,华中一,周峥嵘,陶凤岗.一种新型的有机电双稳薄膜及其极性记忆效应[J].真空科学与技术学报,2001(05):349-351.
[10]	刘春明;吕银翔;郭鹏 et al.[J].真空科学与技术学报,2003,6:11.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

一种电可擦写可读出的有机薄膜存储器件

An electrical rewritable, erasable and readable organic film memory device

参考文献